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IRF6607
100000
10000
VGS = 0V,   f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
6.0
5.0
4.0
ID= 20A
VDS= 24V
VDS= 15V
Coss
3.0
1000
100
Crss
2.0
1.0
0.0
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Q G Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
1000.00
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100.00
T J = 150°C
100
10.00
10
100μsec
1msec
1.00
0.10
T J = 25°C
VGS = 0V
1
0.1
T A = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
10msec
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3
0
1
10
100
1000
4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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